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芯片短路失效分析案例研究 - 華南檢測技術(shù)

發(fā)布時間:2024-11-18 點(diǎn)擊次數(shù):9038

在電子工程領(lǐng)域,芯片短路失效是一個嚴(yán)重的問題,它可能導(dǎo)致整個電子系統(tǒng)的故障。廣東省華南檢測技術(shù)有限公司,憑借20年的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì),為客戶提供了一項(xiàng)專業(yè)的芯片短路失效分析服務(wù)。本文將詳細(xì)介紹我們對一枚不良芯片的分析過程和結(jié)果,以展示我們在這一領(lǐng)域的專業(yè)能力和服務(wù)優(yōu)勢。

芯片短路失效分析

一、芯片短路失效分析案例背景

我們收到了一位客戶的委托,他們送來了一枚表現(xiàn)異常的芯片,希望我們能夠深入分析并揭示導(dǎo)致其短路失效的根本原因。芯片短路失效分析是我們的專長之一,我們的團(tuán)隊(duì)擁有20年的行業(yè)經(jīng)驗(yàn),精通于電子元件的失效機(jī)理研究。

芯片短路失效分析


二、芯片短路失效分析過程

1、初步外觀檢查

在接收到芯片后,我們首先進(jìn)行了詳盡的外觀檢查。通過高分辨率顯微鏡觀察,我們確認(rèn)了芯片外觀無明顯損傷,印字清晰,無打磨痕跡,初步排除了物理損傷的可能性。這一步驟對于芯片短路失效分析至關(guān)重要,因?yàn)橥獠繐p傷往往是導(dǎo)致短路的直接原因。

芯片短路失效分析

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2、內(nèi)部結(jié)構(gòu)X-Ray透視檢查

隨后,我們利用X-Ray技術(shù)對芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行了透視檢查。X-Ray圖像顯示,晶粒位置正常,腳架無變形,內(nèi)部結(jié)構(gòu)完整,進(jìn)一步排除了制造缺陷導(dǎo)致短路的可能性。X-Ray檢查是芯片短路失效分析中不可或缺的一環(huán),它能夠揭示芯片內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu),為后續(xù)分析提供重要信息。

芯片短路失效分析

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3、電性能測試

電性能測試是芯片短路失效分析的關(guān)鍵步驟。我們的測試結(jié)果顯示,該芯片存在明顯的Short不良狀態(tài),這表明芯片內(nèi)部存在異常的低電阻路徑。為了進(jìn)一步探究這一現(xiàn)象,我們采用了精密的電學(xué)測量設(shè)備,對芯片的各個引腳進(jìn)行了詳細(xì)的電學(xué)特性測試,以確定短路的具體位置和性質(zhì)。

芯片短路失效分析

4、電流-電壓(I-V)特性測試

為了更深入地了解芯片內(nèi)部的電學(xué)行為,我們進(jìn)行了電流-電壓(I-V)特性測試。這一測試能夠提供芯片在不同電壓和電流條件下的電學(xué)響應(yīng),從而幫助我們識別導(dǎo)致短路的潛在原因。測試結(jié)果表明,在特定電壓下,芯片的電流急劇增加,這通常指向了內(nèi)部結(jié)構(gòu)的損壞或缺陷。


5、開封測試與顯微鏡觀察

為了進(jìn)一步定位問題,我們進(jìn)行了開封測試。在去除黑膠層和腳架層后,我們在顯微鏡下觀察到了晶體表面有燒傷痕跡。這一發(fā)現(xiàn)為我們的分析提供了重要線索。我們使用了掃描電子顯微鏡(SEM)和能量色散X射線光譜(EDS)技術(shù),對燒傷區(qū)域進(jìn)行了高分辨率成像和元素分析,以確定燒傷的原因和涉及的材料。

芯片短路失效分析

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6、聚焦離子束(FIB)切割與透射電子顯微鏡(TEM)分析

此外,我們還采用了聚焦離子束(FIB)技術(shù),對芯片的特定區(qū)域進(jìn)行了準(zhǔn)確的切割和制備,以便于進(jìn)一步的透射電子顯微鏡(TEM)分析。通過TEM,我們能夠在原子級別上觀察芯片的微觀結(jié)構(gòu),從而更準(zhǔn)確地識別導(dǎo)致短路的缺陷類型和位置。


7、數(shù)據(jù)綜合分析

在完成上述測試后,我們對收集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行了綜合分析。我們利用統(tǒng)計(jì)分析方法,對芯片的電學(xué)參數(shù)、內(nèi)部結(jié)構(gòu)和材料特性進(jìn)行了深入研究,以確定導(dǎo)致短路失效的根本原因。通過這種方法,我們能夠?yàn)榭蛻籼峁┮粋€全面、詳細(xì)的芯片短路失效分析報(bào)告,為后續(xù)的產(chǎn)品改進(jìn)和質(zhì)量控制提供科學(xué)依據(jù)。


三、芯片短路分析結(jié)果

綜合電性測試和開封測試的結(jié)果,我們得出結(jié)論:該芯片在應(yīng)用過程中遭受了大能量沖擊,導(dǎo)致晶體受損并發(fā)生電性失效。芯片短路失效分析揭示了這一過程中的關(guān)鍵因素,即能量沖擊導(dǎo)致的晶體損傷。


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廣東省華南檢測技術(shù)有限公司,憑借20年的檢測經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì),是您在芯片短路失效分析領(lǐng)域的可靠伙伴。我們致力于幫助企業(yè)解決與品質(zhì)相關(guān)的問題,確保產(chǎn)品的可靠性和安全性。我們的實(shí)驗(yàn)室優(yōu)勢在于強(qiáng)大的可靠性測試標(biāo)準(zhǔn)解讀能力、豐富的測試方案設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)、測試工裝和治具的設(shè)計(jì)開發(fā)能力,以及快速響應(yīng)客戶和物流解決方案。此外,我們還擁有大規(guī)模測試通用數(shù)據(jù)庫,為客戶提供數(shù)據(jù)支持。

通過這一系列的分析步驟,我們的團(tuán)隊(duì)能夠?yàn)榭蛻籼峁┮粋€全面、深入的芯片短路失效分析服務(wù)。我們的專業(yè)技能和先進(jìn)的設(shè)備確保了分析的準(zhǔn)確性和可靠性,幫助客戶有效地識別和解決芯片短路問題。我們期待與您的合作,共同提升電子產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。



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