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華南檢測(cè)技術(shù)：深入解析芯片IV曲線與SAT測(cè)試案例

一、芯片案例背景：芯片檢測(cè)的挑戰(zhàn)與需求

在最近的一個(gè)項(xiàng)目中，我們收到了客戶(hù)送來(lái)的1Pc芯片樣品，要求進(jìn)行I-V測(cè)試、X-ray掃描、SAT掃描。這些測(cè)試對(duì)于評(píng)估芯片的性能和可靠性至關(guān)重要。我們的專(zhuān)業(yè)團(tuán)隊(duì)立即著手，以確保為客戶(hù)提供準(zhǔn)確的芯片檢測(cè)結(jié)果。

二、芯片分析過(guò)程：深入的芯片檢測(cè)技術(shù)

1. 外觀檢查：

首先，我們使用光學(xué)顯微鏡對(duì)芯片正表面進(jìn)行了細(xì)致的外觀檢查。結(jié)果顯示芯片正表面存在孔洞，疑似燒傷痕跡，這可能是由于電過(guò)載（EOS）造成的損傷。

2. X-Ray測(cè)試：

進(jìn)一步的X-Ray射線檢查揭示了芯片內(nèi)部鍵合線存在斷線形貌，這進(jìn)一步證實(shí)了EOS損傷的假設(shè)。X-Ray測(cè)試是芯片檢測(cè)中不可或缺的一環(huán)，它能夠透視芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，發(fā)現(xiàn)潛在的物理?yè)p傷。

3. SAT檢查：

SAT（超聲波掃描顯微鏡）檢查進(jìn)一步確認(rèn)了我們的發(fā)現(xiàn)。檢查顯示芯片表面及引線框表面均有明顯分層形貌，這是EOS損傷的直接證據(jù)。SAT檢查以其高分辨率和非破壞性特點(diǎn)，在芯片檢測(cè)中扮演著關(guān)鍵角色。

4. 電性能測(cè)試：

最后，我們進(jìn)行了I-V測(cè)試，以評(píng)估芯片的電性能。測(cè)試曲線顯示14引腳為開(kāi)路，而其他引腳測(cè)試則顯示出明顯的曲線。這一結(jié)果直接指向了芯片的電性能問(wèn)題，進(jìn)一步證實(shí)了EOS損傷的影響。

三、芯片分析結(jié)果：芯片檢測(cè)的結(jié)論

綜合外觀檢查、X-ray檢測(cè)、SAT掃描檢測(cè)及I-V曲線測(cè)試的結(jié)果，我們推斷該芯片在使用過(guò)程中存在EOS，導(dǎo)致鍵合引線損壞而失效。這一結(jié)論為客戶(hù)的后續(xù)行動(dòng)提供了明確的指導(dǎo)，幫助他們理解芯片失效的原因，并采取相應(yīng)的措施。

華南檢測(cè)：http://www.exksm.cn/websiteMap

廣東省華南檢測(cè)技術(shù)有限公司專(zhuān)注于失效分析、材料分析、成分分析、可靠性測(cè)試、配方分析等檢測(cè)分析服務(wù)，擁有CMA和CNAS資質(zhì)。公司坐落于東莞大嶺山鎮(zhèn)，鄰近松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)，配備了行業(yè)內(nèi)先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備和專(zhuān)業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)。華南檢測(cè)技術(shù)有限公司的客戶(hù)涵蓋多個(gè)行業(yè)，包括半導(dǎo)體、電子元件、納米材料、通信、新能源、汽車(chē)、航空航天、教育和科研等領(lǐng)域。