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?芯片失效分析（華南檢測案例分析）

失效分析工作是一個非常復雜的過程，需要多個學科之間的相互交叉。華南檢測公司擁有先進的分析檢測設備、全面的材料分析方法和標準，以及經驗豐富的專業技術團隊。我們能夠綜合分析和評價材料表面成分、材料結構和成分分析，產品清潔度和污染物分析，以及PCB/PCBA失效和芯片失效的原因和機理。同時，作為獨立的第三方檢測機構，我們出具的報告客觀、科學、準確和公正，無論是對委托方還是其他方而言，都是基于事實和分析測試結果進行分析。

下面就是廣東省華南檢測技術有限公司如何進行芯片失效分析流程和分析的案例。

一、芯片失效分析的步驟

1. 外觀檢查。

2. X-ray。

3.聲學掃描顯微鏡檢查。

4.I-V曲線測試。

5.化學解封裝后內部視檢。

6.微光顯微鏡檢查。

二、芯片失效分析案例

1. 案例背景

收到客戶樣品2Pcs芯片，客戶描述1Pc為NG樣品，另1Pc為OK樣品，根據客戶要求進行失效分析原因。

2.分析方法簡述

2.1 外觀檢查

  OK芯片外觀形貌

 NG芯片外觀形貌

說明：光學顯微鏡檢查顯示OK樣品正面、背面以及側面無其他明顯外觀異常。檢查顯示NG樣品正面、背面及側面均有助焊劑殘留及黑膠殘留。

 2.2 X-射線檢查

OK芯片X-Ray形貌

NG芯片X-Ray形貌

說明：X-射線檢查顯示OK樣品與NG樣品內部形貌一致，內部鍵合線不一致，無其他明顯內部異常。

2.3聲學掃描顯微鏡檢查

 OK芯片C-SAM形貌

NG芯片C-SAM形貌

說明：聲學掃描顯微鏡檢查顯示OK樣品與NG樣品芯片表面及引線框面均無明顯異常。

2.4 I-V曲線測試 

  OK  I-V曲線測試圖

NG  I-V曲線測試圖

說明： I-V測試曲線分析（電流500uA/電壓500mV），NG樣品測試曲線有VCC對GND存在差異，可能存在微漏電情況。

2.5 化學解封裝后內部視檢

OK芯片化學解封裝后內部形貌

 NG芯片化學解封裝后內部形貌

說明：化學解封裝后光學顯微鏡檢查顯示OK樣品與NG樣品形貌一致，無其他異常特征。

2.6 微光顯微鏡檢測

NG樣品微光顯微鏡檢測形貌

說明:微光顯微鏡檢測（5V電壓、1mA電流）顯示NG樣品芯片GND對VCC間存在漏電異常現象。

三、失效分析結論

對客戶提供的NG樣品芯片進行外觀檢查，I-V測試曲線分析以及結合微光顯微鏡檢測結果，推測芯片失效的原因是芯片內部輕微漏電，導致工作異常。

華南檢測基于材料科學工程和電子可靠性工程打造工業醫院服務模式，借助科學的檢測分析標準和方法、依托專業的工程技術人員和精密的儀器設備，幫助企業解決在產品研發、生產、貿易等多環節遇到的各種與品質相關的問題，工業CT 檢測、失效分析、材料分析檢測、芯片鑒定、DPA分析、芯片線路修改、晶圓微結構分析、可靠性檢測、逆向工程、微納米測量等專業技術測服務，歡迎前來咨詢了解。

華南檢測失效分析：

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